Power Integrations针对工业应用推出了一系列高度集成的高压IC。每片IC都在一个单一晶片上同时集成了一个高压功率MOSFET及其它控制及保护电路。其功能特点包括电流限流及故障情况下具有自动恢复特性的热关断保护特点，从而可以提高可靠性。另外，频率调制特性可以降低EMI
设计范例
辅助电源
有多个系列的产品适合于非隔离和隔离电源的设计。经过优化后可实现高效率、元件数目很少的设计。同时其全面的保护功能可以最大限度地提高设计可靠性。
| 说明 | 参考 设计 | 设计 范例 报告 | 工程 原型 报告 | 参考 设计 套件 |
|---|---|---|---|---|
| 10 W Dual Output Power Supply |  |
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| 40 W高效率待机电源 | |
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| 30 W高效率待机电源 | |
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| 2.5 W应急照明电源 | |
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| 3.8 W双路输出电源 | |
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| 1.2 W双路正负输出电源 | |
RDK-138 | ||
| 面板表 18-30 VAC（1.25 W、250 mA输出） | |
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| 冷凝式锅炉电源 | |
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| IGBT/MOSFET驱动器用辅助电源（UPS、电焊机等） | |
输入电压范围超宽的电源
对于输入电压要求高于350 VAC的应用可使用额定电压900 V的MOSFET实现484 V的最高电压输入。对于更高输入电压（如580 V）的应用，可选择StackFET拓扑结构。而如果设计要求为浮动的恒流源（如DI-152中所述）应用，IC可以在低至18 V的低输入电压下仍能够启动和工作。
| 说明 | 参考 设计 | 设计 范例 报告 | 工程 原型 报告 | 参考 设计 套件 |
|---|---|---|---|---|
| 17.5 W双路输出电源 | |
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| 面板表 18 V DC–265 V AC输入（3 W、600 mA输出） | |
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| 超宽输入电压范围的辅助电源57-580 V (3 W, 12 V / 250 mA) | |
PFC级
Hiper-PFC产品系列支持CCM（连续工作方式）升压拓扑结构，采用多晶粒(multi-die)封装模块，散热性能支持75-900 W的输出功率。
| 说明 | 参考 设计 | 设计 范例 报告 | 工程 原型 报告 | 参考 设计 套件 |
|---|---|---|---|---|
| 高性能超薄900 W前级PFC应用 | |
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| 高性能超薄100 W前级PFC应用 | |
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| 低成本低功率180 W前级PFC应用 | |
RDK-248 | ||
| 高性能347 W PFC前端应用 | |
RDK-236 |
主电源
对于介于100-400 W功率范围的电源，Hiper-TFS和HiperLLC可提供最高集成度的方案。
- Hiper-TFS集成了双管正激和反激式电源控制器以及725V MOSFET。
- HiperLLC集成了LLC控制器、高压功率MOSFET以及驱动器，可让用户有机会实现效率最高的设计。
| 说明 | 参考 设计 | 设计 范例 报告 | 工程 原型 报告 | 参考 设计 套件 |
|---|---|---|---|---|
| 150 W LLC高压DC-DC谐振转换器 | |
RDK-239 | ||
| 14.5 W待机电源和300 W主电源 | |
RDK-249 |
推荐的产品系列
| IC产品 系列 | 设计指南 | 典型电路 配置 | 功率/电流 额定值 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| InnoSwitch™3-EP | NA | Flyback | 12 to 40 W | Off-Line CV/CC QR Flyback Switcher IC with Integrated 725 V MOSFET, Synchronous Rectification and FluxLink Feedback |
| InnoSwitch-EP | 不适用 | 反激式 | 15-35 W | 集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式反激恒压/恒流开关IC |
| CAPZero-2 | 不适用 | 交流电源 | 不适用 | 使用本器件可消除X电容放电电阻所产生的损耗，从而降低待机功耗 |
| DPA-Switch™ | |
反激式/正激式 | 功率最高达83 W | 高度集成的IC，适用于16-75 W的DC-DC转换 |
| HiperPFS? | 不适用 | PFC反激式 | 功率最高达1 kW | 集成高压MOSFET的高功率PFC控制器 |
| HiperLCS? | |
LLC半桥 | 功率最高达440 W | 将一个多功能控制器、上管和下管栅极驱动以及两个组成半桥结构的功率MOSFET集成在一起的LLC功率级 |
| HiperTFS?-2 | 不适用 | 双管正激和反激 | 功率最高达586 W | 同时将双管正激控制器、反激控制器及相应的高压MOSFET集成在一起的单片IC |
| LinkSwitch-4 | 不适用 | 反激式 | 功率最高达10 W | 高效率BJT开关控制IC，适用于最高10 W的恒压/恒流充电器和适配器应用 |
| LinkSwitch™-CV | |
反激式 | 功率最高达8.5 W | 实现在初级侧对输出恒压进行精准控制的IC。可轻松超越所有能效标准。 |
| LinkSwitch™-TN | |
降压式 | 最大360 mA | 电容降压方式的高效率替换方案，所需外围元件极少 |
| SENZero? | 不适用 | 交流电源 | 不适用 | 该器件简单易用，它可以在节能模式下断开不使用的电路通路，从而大大降低待机工作时的功耗 |
| TinySwitch-4 | 不适用 | 反激式 | 功率最高达28.5 W | 过载功率随输入电压变化很小的高效离线式开关IC |
| TOPSwitch™-JX | |
反激式 | 12-177 W | 采用EcoSmart™节能技术、可实现高效电源设计的集成离线式开关IC |
相关设计支持文档
| 一般设计信息 |
|---|
| 产品数据手册 |
| AC-DC选择指南 |
| 高功率产品选择指南 |
| 封装信息 |
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